Kapasite, katı hal sürücüleri için her zaman sorun olmuştur. İçerikte yer alan her çip pahalı ve bu çiplerin yer aldığı katı hal sürücüsü içindeki alanın da sınırlı olduğu düşünüldüğünde, daha fazla kapasite sunabilmek için farklı yollar aramak gerekiyordu. Samsung bu engeli V-NAND ya da Vertical-NAND ile aşmıştı. Depolama konusunda birlikte yol alan Intel ve Micron ise benzer bir modeli farklı bir şekilde inşa ederek yeni depolama teknolojisini tanıttı.

Aslında Intel ve Micron bir süredir 3D NAND teknolojisi üzerinde çalışıyordu. Üç boyutlu istifleme yaparak dikey yönde yükselerek kapasiteyi arttırma üzerine yoğunlaşan iki şirket, bu sayede SSD'de 10 TB kapasiteye ulaşabilecek. Bir gökdelene benzer yapıya benzeyen 3D NAND, 32 katman olarak yükseliyor.

Tanıtımın ardından şimdi Intel ve Micron'un bu yıl sonuna kadar 10 TB'lık SSD'ler için geliştirdiği bu yeni modeli seri üretime geçirmesi bekleniyor. Bu da demek oluyor ki, önümüzdeki yıl içinde veya en geç 2017 yılı başında 10 TB'lık SSD'leri görmeye başlayabiliriz.

Resimlerle: Bilgisayar depolama birimlerinin gelişimi!

Kaynak: CHIP Online